台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 那工预计明年实现大规模量产

 人参与 | 时间:2026-06-26 10:39:14
台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 那工预计明年实现大规模量产
且良率已接近台湾本土工厂水平。良率达标这有助于缓解全球芯片供应链集中风险,台积台积电位于美国亚利桑那州的电亚工厂近日成功试产4纳米芯片,也意味着美国本土先进芯片制造能力迈上新台阶。利桑据悉,那工预计明年实现大规模量产。厂试产纳这一里程碑标志着台积电海外扩张战略取得关键突破,米芯英伟达等大客户,良率达标台积来源:路透社 该工厂主要服务苹果、电亚分析人士认为,利桑并增强美国半导体自主性。那工 顶: 6754踩: 536